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三星「老毛病」卡關!HBM晶片未通過輝達測試、股價挫低

商傳媒|記者許方達/綜合報導

高頻寬記憶體(HBM)晶片三強鼎立的局面已然生變,綜合外媒報導,韓國三星電子自去年以來,持續努力通過輝達對其HBM3和HBM3E產品的測試,不過最後還是因為「散熱」卡關、被宣告出局。

針對此傳聞,輝達目前暫無置評,三星則回應媒體,「HBM是一款客製化記憶體,需要根據客戶需求進行優化流程」,並透露正在通過與客戶的密切合作來優化產品,拒絕對特定客戶發表評論。

HBM3和HBM3E是最新版本的高頻寬記憶體晶片,主要是與核心微處理器晶片結合使用,幫助處理生成式AI中的大量數據。根據知情人士透露,由於熱量和功耗等問題,在4月份左右,就已傳出三星8層與12層堆疊的HBM3e樣本沒過關。

消息更指出,三星未能滿足輝達達的要求,增加業界和投資人的擔憂,在這場爭食HBM大餅的競賽中,三星極有可能會進一步落後競爭對手SK海力士以及美光科技。

三星電子股價在24日盤中聞訊重挫超過2%,今年以來股價漲勢平平,而對手SK海力士則已飆漲40%左右,美光也暴增至少50%。

圖片來源:奇摩財經

根據研究機構TrendForce數據顯示,在AI相關需求火熱情況下,預計HBM晶片市場今年將增長超過一倍,達到將近90億美元。分析師指出,三星在本週大舉撤換半導體部門負責人,似乎正凸顯三星對於公司在HBM技術落後的擔憂,因此大刀闊斧尋找新高層來應對這次「危機」。